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株式会社東芝NAND搭載MCP製品・NANDフラッシュ積層製品の技術開発(89040)の転職・求人情報は掲載を終了しています。

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NAND搭載MCP製品・NANDフラッシュ積層製品の技術開発の過去の転職・求人情報概要(掲載期間: 2006/11/28 - 2006/12/25)

NAND搭載MCP製品・NANDフラッシュ積層製品の技術開発
正社員上場企業
上司は、フラッシュメモリ開発のパイオニアです。
【ファイルメモリ設計担当 中川より】
以前は、NOR型フラッシュメモリの回路設計を手がけていましたが、その当時はフラッシュの詳細な技術書は皆無でした。私にとって唯一のバイブルだったのが、東芝のNAND型フラッシュ開発者が発表されていた数々の論文だったのです。

そして、ある技術セミナーに参加したときのこと。東芝の技術者による“最先端のNAND型フラッシュ”の発表を聞き、「NAND発祥の地」で働きたいという想いが強くなっていきました。こうして現在の私がいます。

実は今の上司もNANDの開発者なんです。給料をもらいながらも、憧れの技術者の方々から直接指導を受けながら勉強させてもらっており、毎日が充実しています。

今後は、高画素数のカメラ付き携帯やデジカメ、デジタルビデオカメラなどの登場や進化に応じて、大容量のフラッシュメモリが求められます。ユーザーの要望は一層高まるでしょうから、現場の声を吸い上げ、次世代フラッシュを開発していきたい。それが“フラッシュメモリ発祥の東芝”の使命だと思っています。

募集要項

仕事内容
NAND搭載MCP製品・NANDフラッシュ積層製品の技術開発
成長著しい分野で、ご活躍いただけます。

Stacked(スタック)MCP製品/フラッシュメモリ積層製品/メモリカード製品の開発(製品企画、製品設計、新製品開発や技術開発のマネジメント等)を担当していただきます。

東芝は、NAND型フラッシュメモリの基礎特許をはじめとしたさまざまな特許を保有しており、また、微細化における技術力に関しても世界最高峰のレベルであると自負しています。更に、パッケージ技術においては9段積層技術に代表されるように世界に誇れる、さまざまな組立技術を保有しております。

★東芝の強み
・基本特許 ・微細化技術 ・多値化技術 ・多段積層パッケージ技術 ・小型メモリカード技術
応募資格 ◆半導体パッケージ技術関連経験がある方、または興味のある方
◆半導体製品の開発経験がある方
◆メモリカード製品の開発経験のある方
◆基板、実装関連開発、設計経験のある方
◆半導体組立材料・装置開発経験のある方
◆半導体製品の評価経験のある方
◆新しい製品の提案を行い、その業務を確実に遂行してみたいという意欲がある方
※上記の項目に一つでもあてはまる方を対象にしています。
募集背景 業務拡大につき、中途採用を強化します。

NAND型フラッシュメモリを軸としたメモリ事業の強化を進めている当社。NAND型フラッシュを中心にメモリ関連の技術力を高めていく方針です。2008年には2兆円と急成長するNAND型フラッシュ市場の中で、世界トップクラスとして走り続けるためにも、最先端の技術開発と生産設備の増強を図っていきます。
雇用形態 正社員
勤務地・交通
マイクロエレクトロニクスセンター/神奈川県横浜市
四日市工場/三重県四日市市
※希望を考慮します。
交通
マイクロエレクトロニクスセンター/JR各線「大船駅」より徒歩7分
四日市工場/近鉄「近鉄富田駅」よりタクシー15分
勤務時間 フレックスタイム制
標準労働時間1日7時間45分
※コアタイムは、配属先により異なります。
給与 固定給制 月給20万1000円以上
※上記はあくまでも、2005年度大卒初任給です。経験・能力を考慮した上で、決定します。
休日休暇 完全週休2日制(土・日)、祝日、年末年始、有給休暇(初年度18日)、結婚休暇、育児休暇、ステップアップ休暇 ※年間休日120日以上
福利厚生・待遇 昇給年1回(4月)、賞与年2回(6・12月)、交通費全額支給、住宅費補助、社会保険完備、住宅融資制度、保養所・総合病院・各種体育施設、借上社宅、寮

会社概要株式会社東芝(東証一部上場)

会社名 株式会社東芝(東証一部上場)
創業 1875年(明治8年)7月
代表者 取締役会長 代表執行役社長 室町 正志
資本金 4399億円
従業員数 36754名
売上高 3兆2945億円(2014年3月期実績)
事業内容 電子デバイス、デジタルプロダクツ、社会インフラ等の各種システム・機器・サービスの開発・製造・販売
事業所 ■国内:
本社/東京、支社・支店・営業所/37ヶ所、研究所等/8ヶ所、工場等/17ヶ所

■海外:
海外事務所、海外現地法人など
企業ホームページ http://www.toshiba.co.jp/
個人名の表記について
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