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株式会社東芝NAND型・NOR型フラッシュメモリデバイスのプロセス開発(89037)の転職・求人情報は掲載を終了しています。

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株式会社東芝(東証一部上場)の現在掲載中の転職・求人情報

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生産・プロセス技術の現在掲載中の転職・求人情報

NAND型・NOR型フラッシュメモリデバイスのプロセス開発の過去の転職・求人情報概要(掲載期間: 2006/11/28 - 2006/12/25)

NAND型・NOR型フラッシュメモリデバイスのプロセス開発
正社員学歴不問上場企業
装置メーカーではわからない。半導体づくりの本質が見えました。
【メモリ先端技術開発担当 重岡より】
前職は半導体製造装置メーカーで、配線用バリアメタルを開発していました。しかし、製造装置メーカーが故に、評価は積層ではなく単膜中心。LSIで各膜に求められるものや、必要とされる膜の本質が分からないまま仕事をしていました。

それだけに以前から、「積層してデバイスを作り、各膜で必要としている本質を知りたい」という強い思いが自分の中にありました。そこで当時求人を出していた東芝に転職。技術力の高さは製造装置メーカーにいた頃から知っていましたし、NAND型フラッシュメモリは将来性もある。自分の技術力を活かし、且つ今まで持ち続けた思いがかなう職場だと思ったんです。

転職した今では、“デバイスで必要とされている膜の本質”がデバイスの電気的評価を重ねてゆくにつれ、見えてきました。時間を掛け、自分の物にしていきたいと考えています。

“NAND発祥の東芝”の使命と言えば、次世代フラッシュメモリの開発だと思っています。自らが身に付けた知識を活かすことが出来れば嬉しい限りですね。

募集要項

仕事内容
NAND型・NOR型フラッシュメモリデバイスのプロセス開発
成長著しい分野で、ご活躍いただけます。

東芝・セミコンダクター社が最も注力する製品であるNAND型・NOR型フラッシュメモリのプロセス開発をお任せします。具体的には以下の内容になります。

◆フラッシュメモリデバイス・プロセス・製品技術業務
◆NAND型フラッシュメモリ、高性能ロジックLSIのための開発および量産への移管業務
◆フラッシュメモリ先端プロセス開発に向けたプロセスインテグレーション技術(微細化技術、新材料、新構造の開発)

★東芝の強み
・基本特許 ・微細化技術 ・多値化技術
応募資格 ※下記いずれかのご経験をお持ちであれば、異業種の方も歓迎します。
◆半導体メモリのデバイス・プロセス・製品技術経験2年以上、またはフラッシュメモリ技術経験1年以上の方
◆半導体プロセス装置開発、プロセス技術開発業務を経験された方
◆新技術開発に対する意欲のある方
◆半導体プロセスに関する専門性を有する方
募集背景 業務拡大につき、中途採用を強化します。

NAND型フラッシュメモリを軸としたメモリ事業の強化を進めている当社。NAND型フラッシュを中心にメモリ関連の技術力を高めていく方針です。2008年には2兆円と急成長するNAND型フラッシュ市場の中で、世界トップクラスとして走り続けるためにも、最先端の技術開発と生産設備の増強を図っていきます。
雇用形態 正社員
勤務地・交通
マイクロエレクトロニクスセンター/神奈川県横浜市
四日市工場/三重県四日市市
※希望を考慮します。
交通
マイクロエレクトロニクスセンター/JR各線「大船駅」より徒歩7分
四日市工場/近鉄「近鉄富田駅」よりタクシーで15分
勤務時間 フレックスタイム制
標準労働時間1日7時間45分
※コアタイムは、配属先により異なります。
給与 固定給制 月給20万1000円以上
※上記はあくまでも、2005年度大卒初任給です。経験・能力を考慮した上で、決定します。
休日休暇 完全週休2日制(土・日)、祝日、年末年始、有給休暇(初年度18日)、結婚休暇、育児休暇、ステップアップ休暇 ※年間休日120日以上
福利厚生・待遇 昇給年1回(4月)、賞与年2回(6・12月)、交通費全額支給、住宅費補助、社会保険完備、住宅融資制度、保養所・総合病院・各種体育施設、借上社宅、寮

会社概要株式会社東芝(東証一部上場)

会社名 株式会社東芝(東証一部上場)
創業 1875年(明治8年)7月
代表者 取締役会長 代表執行役社長 室町 正志
資本金 4399億円
従業員数 36754名
売上高 3兆2945億円(2014年3月期実績)
事業内容 電子デバイス、デジタルプロダクツ、社会インフラ等の各種システム・機器・サービスの開発・製造・販売
事業所 ■国内:
本社/東京、支社・支店・営業所/37ヶ所、研究所等/8ヶ所、工場等/17ヶ所

■海外:
海外事務所、海外現地法人など
企業ホームページ http://www.toshiba.co.jp/
個人名の表記について
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