仕事内容 |
化合物半導体(GaAs系)結晶成長技術開発 化合物半導体の結晶成長技術の研究開発をお任せします。
主として、MOCVD装置を用いた結晶成長技術の開発を担当していただきます。高効率な活性層の開発、低損失・高効率なデバイス設計などを行う事によって、今後市場拡大が期待される高出力タイプのGaAs系VCSEL(面発光レーザー)の実現に向け開発を進めていただきます。
さらに、将来に向けたMOCVD量産機の選定や膜厚均一化技術に携わっていただけることを期待しています。 |
応募資格 |
大卒以上
■GaAs系エピタキシャル成長技術を保有している方(10年以上の実務経験者が採用対象となります) ⇒「化合物半導体結晶成長技術分野」の知識がある方を想定しています。
【優遇条件】 MOCVD装置経験のある方 レーザーダイオードの研究開発経験のある方
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募集背景 |
■未来を切り開く“変革”に向けて、新たな人財を求めます。
世界200カ国以上に展開し、海外売上高比率は50%以上を記録するグローバル企業「リコー」。 コピー機、プリンター、プロジェクター、ITソリューションに至るまで。時代のニーズを先取りした価値を創出し、確かな事業基盤を築きました。
現在はプリンタ用書込み光源で培ったVCSEL(面発光レーダー)を更に進化・発展させ、これまでの常識を覆す特性のVCSEL素子を開発中です。そのためのコア技術であるMOCVD装置を用いた高効率活性層開発、低損失な素子構造の設計開発などを担当し、新たなキーデバイスの開発を担ってくださる人材を募集します。 |
雇用形態 |
正社員
正社員 ※試用期間3ヶ月あり。その間の条件は変わりません。 |
勤務地・交通 |
◆応用電子研究所/宮城県名取市高舘熊野堂字余方上5-10
交通
※マイカー通勤可能※ 【自動車】東北自動車道「仙台南IC」から約5分
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勤務時間 |
9:00~17:30 (実働7時間30分) |
給与 |
◆経験・能力を充分に考慮した上で決定します。 【2015年4月 初任給実績】 ◇修士了:月給23万9800円 ◇学部卒:月給21万5000円 |
休日休暇 |
◆完全週休2日制(土・日)、祝日 ◆有給休暇(半日、時間単位での取得が可能です) ◆特別休暇、リフレッシュ休暇 ◆MVP5(マイ・バケーション・プラン・ファイブ)休暇 ほか 【年間休日129日】 |
福利厚生・待遇 |
◆昇給年1回(4月)、賞与年2回(7月/12月) ◆各種社会保険完備(雇用保険、労災保険、健康保険、厚生年金保険)、介護保険 ◆通勤手当(全額支給) ◆時間外勤務手当 ◆子供手当 ◆資格役職手当 ◆カフェテリアプラン ◆両立支援制度(育児・介護など) ◆財形貯蓄、持株会、共済会、慶弔見舞 ほか ◆確定給付企業年金、在職時払(確定拠出年金(DC)と賃金上乗せから選択) ※以前お勤めの会社の企業年金制度で、他制度へ移換可能な資産は、リコーの確定拠出年金(DC)で受け入れが可能です。 |
教育制度 |
◆階層別教育 ◆目的別教育(キャリア開発、グローバル対応力強化、人材タイプ別育成、ビジネススキル強化、グローバルエグゼクティブ養成等) ◆eラーニングシステム ◆自己啓発支援(英会話レッスン等) 等 ※必要なタイミングで、適した内容の研修を受けることができます。 |
株式会社リコー(東証一部上場)の化合物半導体(GaAs系)結晶成長技術開発(769054)の転職・求人情報は掲載を終了しています。
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